MT49H32M18BM-25E:B TR是美光科技推出的一款576Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M x 18位的组织架构。该器件以卷带形式提供，采用144-TFBGA表面贴装封装，便于自动化生产。
其核心特性包括高达400MHz的时钟频率，配合DDR技术实现800MT/s的有效数据传输速率，访问时间为15ns。器件在1.8V典型电压下工作，支持并联接口，适用于需要并行高速数据访问的系统。工作温度范围为0°C至95°C，能满足多种嵌入式环境的需求。
- 型号:MT49H32M18BM-25E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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