MT49H16M36SJ-25E:B是一款由美光科技制造的576Mb容量并行接口DRAM芯片。其核心组织架构为16M x 36位，采用144-TFBGA封装，支持表面贴装，工作电压范围为1.7V至1.9V。
该器件的主要技术亮点在于其400MHz的高时钟频率与15ns的快速访问时间，这为系统提供了高数据吞吐量的并行存储解决方案。其设计适用于0°C至95°C（TC）的工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
总体而言，这款DRAM芯片以其高速、宽数据位和工业级温度范围的特点，旨在满足网络、工业控制及嵌入式系统等领域对高性能易失性存储的需求。
- 型号:MT49H16M36SJ-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-FBGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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