MT46V128M4P-5B:J是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4的并行架构。该器件在200MHz时钟频率下运行，利用DDR技术实现双倍数据传输速率，其核心优势在于700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，能够显著提升系统的数据吞吐效率。
芯片工作电压为2.5V~2.7V，采用66引脚TSOP表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至70°C。这些特性使其成为需要中等容量、高性能并行内存解决方案的各类嵌入式系统与通信设备的理想选择，为处理器提供高速的数据缓冲与存储支持。
- 型号:MT46V128M4P-5B:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:66-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
- 供应商器件封装:66-TSOP
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