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MICRON
MT49H16M36SJ-18 IT:B的图片

MT49H16M36SJ-18 IT:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
原厂封装:封装:144-FBGA(18.5x11)
优势价格,MT49H16M36SJ-18 IT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT49H16M36SJ-18 IT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT49H16M36SJ-18 IT:B是美光科技生产的一款576Mb容量、并行接口的DRAM芯片。该器件采用16M x 36的组织形式,核心时钟频率为533MHz,在DDR模式下实现1066MT/s的数据传输速率,并提供低至15ns的访问时间,旨在为系统提供高带宽和快速响应的数据存储解决方案。

其关键特性包括集成的ECC(错误校验与纠正)功能,有效保障了数据完整性。该芯片采用1.8V典型电压供电,并封装在144-TFBGA中,表面贴装设计。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,满足工业级应用对环境适应性的要求,适用于网络通信、工业控制及高性能嵌入式系统等需要可靠、高速存储的领域。

  • 型号:MT49H16M36SJ-18 IT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:144-FBGA(18.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:576Mb
  • 存储器组织:16M x 36
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:15 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:144-TFBGA
  • 供应商器件封装:144-FBGA(18.5x11)
  • 想获取MT49H16M36SJ-18 IT:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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