MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR是美光科技推出的一款多芯片封装（MCP）存储器，在一个168-VFBGA封装内集成了8Gb NAND闪存和4Gb LPDRAM。这种组合提供了非易失性大容量存储与高速易失性缓存的优势，通过并联接口实现高效协同。
该器件工作电压为1.7V至1.95V，支持低功耗运行，其LPDRAM部分时钟频率可达200MHz，确保了快速的数据访问能力。其工业级工作温度范围（-25°C至85°C）使其能够适应苛刻的环境要求，主要面向空间受限且对性能和功耗有较高要求的移动及嵌入式应用。
- 型号:MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-VFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:8Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
- 存储器组织:512M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-VFBGA
- 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
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