MT49H16M36FM-18:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DDR SDRAM芯片，采用16M x 36（含ECC）的存储组织形式。该器件核心卖点在于其高带宽性能，时钟频率达533MHz，实现1066MT/s的数据传输速率，并具备15ns的快速访问时间，能满足高速数据处理的实时性要求。
其工作电压为1.8V标准，在提供高性能的同时兼顾了功耗控制。该芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的板级设计。其宽温工作范围（0°C至95°C）增强了在严苛环境下的适用性。这款并行DRAM主要面向需要高数据吞吐率和可靠性的网络通信、嵌入式计算及工业控制系统。
- 型号:MT49H16M36FM-18:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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