M29W128GSL70ZS6E是美光科技生产的一款128Mbit并行NOR闪存芯片，采用64-LBGA表面贴装封装。该器件提供16M x 8位或8M x 16位两种可配置的组织结构，支持高速随机访问，其访问时间和写周期时间均为70ns，确保了高效的代码执行和数据写入性能。
芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。这些特性使其成为需要可靠存储和快速执行启动代码、操作系统或关键应用程序的嵌入式系统的理想选择，常见于工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
- 型号:M29W128GSL70ZS6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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