MT49H16M36BM-33:B TR 是美光科技推出的一款 576Mb 容量并行 DRAM 芯片，采用 16M x 36 的存储结构。该器件以 300MHz 的时钟频率和 20ns 的访问时间提供高速数据吞吐能力，其并联接口便于系统集成。
芯片工作电压为 1.7V 至 1.9V，有助于实现低功耗设计，并能在 0°C 至 95°C 的结温范围内稳定工作，满足工业级环境要求。产品采用 144-TFBGA 封装，以卷带形式供货，适用于表面贴装工艺。
- 型号:MT49H16M36BM-33:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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