MT49H16M36BM-25 IT:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片。该器件采用16M x 36的组织结构，工作时钟频率为400MHz，数据访问时间为20ns，能够提供高速的数据吞吐性能，满足对内存带宽要求苛刻的应用需求。
芯片采用1.7V至1.9V的低电压供电，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备良好的功耗表现和环境适应性。其采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的PCB设计。该并行接口DRAM主要面向需要高可靠性和快速数据交换的网络、工业及专业视频处理等领域。
- 型号:MT49H16M36BM-25 IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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