MT49H16M36BM-25E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用16M x 36的存储单元组织架构。该器件以400MHz的时钟频率运行，访问时间低至15ns，能够提供高速的数据吞吐性能，满足对实时性要求较高的应用需求。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，体现了低功耗的设计特点，同时其工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），具备一定的环境适应性。该芯片采用144-TFBGA表面贴装封装和并联接口，便于在紧凑的PCB空间内实现高密度系统集成与快速数据交换。
- 型号:MT49H16M36BM-25E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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