MT49H16M36BM-18:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM，采用16M x 36位组织架构，提供宽数据路径以支持高吞吐量应用。其核心特性包括533MHz时钟频率和15ns访问时间，在1.8V典型电压下实现高速数据交换，同时工作温度范围覆盖0°C至95°C，确保工业级环境的可靠性。
该器件采用144-TFBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，便于集成到空间受限的嵌入式设计中。其并联接口简化了与主控芯片的连接，适合需要快速、连续数据存取的场景，如网络设备和实时控制系统。尽管目前已停产，它仍代表了高带宽存储器在特定领域的技术实现。
- 型号:MT49H16M36BM-18:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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