MT49H16M18CFM-33:B是美光科技生产的一款288Mb容量RLDRAM 2存储器。该芯片采用16M x 18位组织架构,封装于紧凑的144-BGA中,核心特性在于其3.3ns的极低访问延迟,专为满足高带宽、快速响应的应用需求而设计。
其工作电压为1.7V至1.9V,支持并联接口以实现高速数据吞吐,工作温度范围覆盖0°C至95°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些参数使其成为网络基础设施、高性能计算等对内存速度有严格要求的领域的理想选择。
- Micron美光半导体完整型号:MT49H16M18CFM-33:B
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS 144UBGA
- 系列:-
- 格式 - 存储器:RAM
- 存储器类型:RLDRAM 2
- 存储容量:288M(16M x 18)
- 速度:3.3ns
- 接口:并联
- 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度:0°C ~ 95°C
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA (18.5x11)
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