MT47H256M8EB-25E IT:C 是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8位架构和并联接口。该器件在400MHz时钟频率下运行，提供高速数据访问与传输能力，其核心时序参数包括400ps的访问时间和15ns的写周期时间。
芯片采用1.8V典型供电（范围1.7V~1.9V），有效控制功耗，并采用60-TFBGA封装进行表面贴装。其宽工作温度范围（-40°C ~ 95°C）使其能够满足工业及扩展温度环境应用的可靠性要求，适用于需要稳定、高性能易失性存储的嵌入式系统与网络通信设备。
- 型号:MT47H256M8EB-25E IT:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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