MT45W1MW16BDGB-708 WT TR 是一款由美光科技制造的16Mb并行接口PSRAM芯片。该器件采用1M x 16位架构，核心特点是结合了DRAM的高密度与SRAM的接口简便性，内部自动刷新机制免除了外部刷新逻辑，为系统设计提供了便利。
其关键参数包括70ns的访问/写周期时间，以及1.7V至1.95V的宽工作电压范围，兼顾了数据存取速度与低功耗需求，适用于电池供电场景。芯片采用54-VFBGA小型化封装，工作温度范围为-30°C至85°C，能满足各类嵌入式系统对紧凑空间和宽温运行的严格要求。
- 型号:MT45W1MW16BDGB-708 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:16Mb
- 存储器组织:1M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
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