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MICRON
MT47R256M4CF-25E:H的图片

MT47R256M4CF-25E:H

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47R256M4CF-25E:H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47R256M4CF-25E:H的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47R256M4CF-25E:H是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器,采用256M x 4的并行架构。该芯片在400MHz时钟频率下运行,支持双倍数据速率,实现高达800Mbps/pin的数据传输带宽,并具备400ps的快速访问时间。

其工作电压为1.55V至1.9V,采用节省空间的60-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至85°C。这些特性使其成为需要高带宽、低功耗和可靠数据缓存的中高速应用场景的理想选择。

  • 型号:MT47R256M4CF-25E:H
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:256M x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.55V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • 想获取MT47R256M4CF-25E:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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