MT47H64M8SH-25E:H TR是美光科技生产的一款512Mbit DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8的存储组织，通过并联接口提供高速数据访问。其核心卖点包括400MHz时钟频率（对应DDR2-800速率）、400ps的快速访问时间以及1.7V至1.9V的低电压供电范围，这些特性确保了高带宽和低功耗的优异性能。
该器件封装为60-TFBGA，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至85°C（TC），适用于商业和工业环境。其易失性DRAM格式结合了高密度存储优势，写周期时间仅为15ns，优化了数据吞吐效率。整体设计兼顾了速度、可靠性和成本效益，适合嵌入式系统、网络设备和消费电子等应用。
- 型号:MT47H64M8SH-25E:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
- 想获取MT47H64M8SH-25E:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
