MT47H64M8CB-5E:B TR

MT47H64M8CB-5E:B TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件在200MHz的时钟频率下运行，利用DDR技术实现每时钟周期两次数据传输，从而提供高达400MT/s的数据带宽，能够有效满足中等性能嵌入式系统对内存吞吐量的需求。

其关键特性包括1.8V标准工作电压（范围1.7V~1.9V），600ps的快速访问时间，以及15ns的写周期时间，确保了高效的数据读写操作。芯片采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业及工业级应用环境，为网络设备、工业控制等领域的存储解决方案提供了可靠的基础组件。

• 型号:MT47H64M8CB-5E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
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