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MICRON
MT45W1MW16BDGB-701 IT TR的图片

MT45W1MW16BDGB-701 IT TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:封装:54-VFBGA(6x8)
优势价格,MT45W1MW16BDGB-701 IT TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45W1MW16BDGB-701 IT TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45W1MW16BDGB-701 IT TR 是美光科技生产的一款16Mb(1M x 16)并行接口伪静态随机存取存储器(PSRAM)。该器件将DRAM的高存储密度与内置刷新逻辑相结合,对外提供类似SRAM的简易接口,无需外部刷新控制,简化了系统设计。

其关键参数包括70ns的访问/写周期时间,以及1.7V至1.95V的低工作电压范围,兼顾了性能与功耗。器件采用54-VFBGA小型化封装,工作温度范围为-40°C至85°C,适用于对空间、能效及环境适应性有要求的嵌入式应用。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态。

  • 型号:MT45W1MW16BDGB-701 IT TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:54-VFBGA(6x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:16Mb
  • 存储器组织:1M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:54-VFBGA
  • 供应商器件封装:54-VFBGA(6x8)
  • 想获取MT45W1MW16BDGB-701 IT TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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