MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR是美光科技生产的一款128Gb容量并行接口NAND闪存芯片。其核心架构为16G x 8位组织，采用非易失性存储技术，确保数据持久保存。器件采用132-VBGA表面贴装封装，供电电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，具备良好的环境适应性。
该芯片的主要卖点在于其高存储密度与并行数据接口，能够为嵌入式系统提供大容量的本地数据存储解决方案。其设计适用于需要通过并行总线进行高速数据交换的应用场景。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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