MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的并行架构。该器件基于DDR2技术，核心时钟频率为400MHz，实现每秒800兆次的数据传输速率，并提供低至400ps的快速访问时间，能够满足中高性能系统对内存带宽和响应速度的要求。

其工作电压为1.8V标准，支持1.7V至1.9V的供电范围，有助于降低系统整体功耗。芯片采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业级温度的各类嵌入式电子设备。这款存储器主要面向需要稳定、可靠数据缓冲和存储解决方案的工业控制、网络通信及数字处理应用。

• 型号:MT47H64M8B6-25:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
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