MT41K256M16TW-107 V:P TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 16位的组织架构。该器件核心优势在于其低电压与高性能的结合，工作电压低至1.283V-1.45V，显著降低系统功耗，同时支持高达933MHz的时钟频率，实现1866 MT/s的数据传输速率，满足高速数据缓冲和处理的需求。
该芯片采用并联接口和96-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度电路板设计。其工作温度范围为0°C至95°C，具备良好的环境适应性。作为一款已停产的成熟器件，它在需要稳定、可靠且能效比优异的存储解决方案的嵌入式设计和工业应用中，曾是一个经过验证的主流选择。
- 型号:MT41K256M16TW-107 V:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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