MT47H64M16NF-25E XIT:M TR是美光科技推出的一款1Gb容量DDR2 SDRAM,采用64M x 16位组织架构,通过并联接口实现高速数据传输。该器件在400MHz时钟频率下运行,提供高达800Mbps的数据速率,并具备400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间,确保了高效的数据处理能力。
其工作电压范围为1.7V至1.9V,有助于优化系统功耗,同时支持-40°C至85°C的宽工作温度范围,符合AEC-Q100汽车级标准,适用于严苛环境。芯片采用84-TFBGA表面贴装封装,集成了高级电源管理功能,平衡了性能与能效。
这款DRAM主要针对汽车电子、工业控制和嵌入式系统等需要高可靠性、快速响应和大容量缓冲的应用场景,是构建稳健存储解决方案的关键组件。
- 型号:MT47H64M16NF-25E XIT:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
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