MT47H64M16NF-25E:M TR是美光科技推出的一款1Gb容量、采用DDR2技术的并行接口SDRAM。该器件采用64M x 16位的组织架构，在400MHz时钟频率下运行，提供高带宽数据访问能力，其访问时间仅为400ps，写周期时间为15ns。
作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，它工作在1.8V电压下，支持0°C至85°C的宽温度范围，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。其84-TFBGA封装和卷带包装形式，专为高可靠性的表面贴装应用而优化，适用于对性能和耐用性有高标准要求的汽车电子及工业嵌入式系统。
- 型号:MT47H64M16NF-25E:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT47H64M16NF-25E:M TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
