MT47H64M16NF-25E AUT:M是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器，采用64M x 16的并行架构。该器件在400MHz时钟频率下工作，实现800Mbps/pin的数据传输速率，并提供低至400ps的访问时间，确保了高效的数据吞吐性能。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，并具备-40°C至125°C的宽温工作能力，专为应对严苛环境而设计。采用84-TFBGA表面贴装封装，适用于需要高可靠性及稳定数据存储的工业控制、汽车电子和通信设备等嵌入式应用领域。
- 型号:MT47H64M16NF-25E AUT:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT47H64M16NF-25E AUT:M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
