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MICRON
MT47H64M16NF-25E AAT:M TR的图片

MT47H64M16NF-25E AAT:M TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(8x12.5)
优势价格,MT47H64M16NF-25E AAT:M TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M16NF-25E AAT:M TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M16NF-25E AAT:M TR是美光科技生产的一款符合AEC-Q100标准的汽车级1Gb DDR2 SDRAM。该器件采用64M x 16位的组织架构,提供高达800Mbps/pin的数据传输速率,能够满足高性能汽车电子系统对大容量、高带宽内存的需求。

其核心工作电压为1.8V(±0.1V),在-40°C至105°C的宽温范围内保证稳定运行,确保了在极端汽车环境下的可靠性。该芯片采用84-TFBGA封装,以卷带形式供货,适用于要求高可靠性和长生命周期的汽车信息娱乐、ADAS及车载网络应用。

  • 型号:MT47H64M16NF-25E AAT:M TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 想获取MT47H64M16NF-25E AAT:M TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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