MT47H64M16HR-3:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器，采用64M x 16位的组织架构。该器件在333MHz的时钟频率下运行，实现高达667MT/s的数据传输率，通过双倍数据速率技术有效提升了系统内存带宽。
其核心优势在于1.8V典型工作电压带来的低功耗特性，以及片上终结（ODT）和差分时钟技术所保障的优异信号完整性。该芯片采用84-TFBGA封装，支持表面贴装，访问时间为450ps，工作温度范围覆盖0°C至85°C，适用于要求稳定高速数据存取的各类嵌入式系统与通信设备。
- 型号:MT47H64M16HR-3:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT47H64M16HR-3:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
