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MT47H64M16HR-25E AAT:H的图片

MT47H64M16HR-25E AAT:H

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(8x12.5)
优势价格,MT47H64M16HR-25E AAT:H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M16HR-25E AAT:H的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M16HR-25E AAT:H 是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器,采用64M x 16位架构与并联接口。该器件以400MHz时钟频率运行,实现高达800Mbps/pin的数据传输速率,并具备15ns写周期时间与400ps访问时间,适用于对时序要求严格的应用。

其工作电压为1.7V至1.9V,支持工业级温度范围(-40°C至105°C),采用84-TFBGA表面贴装封装,兼顾紧凑布局与散热需求。该芯片适用于需要可靠、中等带宽内存解决方案的嵌入式系统与工业设备。

  • 型号:MT47H64M16HR-25E AAT:H
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 想获取MT47H64M16HR-25E AAT:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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