MT47H256M8THN-25E:H 是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，核心工作时钟频率为400MHz，可实现高达800MT/s的数据传输率，为系统提供高效的数据吞吐带宽。
其关键电气特性包括1.7V至1.9V的工作电压范围，以及15ns的写周期时间和400ps的访问时间，在性能与功耗之间取得了良好平衡。芯片采用63-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C（TC），适用于各类嵌入式及网络通信设备中对存储性能有稳定要求的应用场景。
- 型号:MT47H256M8THN-25E:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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