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MICRON
MT47H128M8CF-25E AIT:H的图片

MT47H128M8CF-25E AIT:H

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47H128M8CF-25E AIT:H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M8CF-25E AIT:H的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M8CF-25E AIT:H是美光科技推出的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片,采用128M x 8的并行架构。该器件在400MHz时钟频率下运行,利用DDR技术实现高效数据传输,其关键时序参数包括15ns的写周期时间和400ps的访问时间,旨在满足对数据吞吐量有要求的应用。

芯片采用1.8V典型供电,工作温度范围宽达-40°C至95°C,并通过60-TFBGA封装提供紧凑的表面贴装解决方案。这些参数共同构成了其核心卖点:在工业级温度范围内提供平衡的性能、容量与功耗表现,适用于需要稳定内存支持的各类嵌入式与通信系统设计。

  • 型号:MT47H128M8CF-25E AIT:H
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • 想获取MT47H128M8CF-25E AIT:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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