MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR是一款由美光科技生产的256Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用32M x 8位的组织架构。该器件通过并联接口与主控制器通信，工作时钟频率为333MHz，在DDR技术下可实现667MT/s的有效数据速率，其快速的访问时间（450ps）和写周期时间（15ns）保障了系统的高速数据读写性能。

芯片采用标准的1.8V供电电压（范围1.7V ~ 1.9V），工作温度范围为0°C至85°C，确保了在宽温商业环境下的可靠性。其物理形态为表面贴装型的60-FBGA封装，适用于空间紧凑的PCB设计。该产品为易失性存储器，主要功能是为各类嵌入式系统、网络设备和工业控制系统提供高速、大容量的临时数据存储解决方案。

• 型号:MT47H32M8BP-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12）
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