MT47H32M16HW-25E AAT:G TR是一款由美光科技生产的512Mb DDR2 SDRAM芯片，采用32M x 16位的存储结构。该器件采用84-TFBGA表面贴装封装，提供卷带或剪切带包装选项，便于自动化生产。
其核心特性包括400MHz的时钟频率，支持高达800Mbps的数据传输速率，并具备400ps的快速访问时间。工作电压范围为1.7V至1.9V，在提升能效的同时保障了性能。该芯片设计可在-40°C至105°C的宽温范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。
作为一款并联接口的易失性存储器，它主要面向需要高带宽、低延迟数据缓冲和处理的应用，例如网络设备、电信基础设施及高性能嵌入式系统，为其提供关键的高速存储支持。
- 型号:MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
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