MT47H32M16HR-25E AAT:G TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器,采用32M x 16位组织架构。该器件基于并联接口,时钟频率为400MHz,实现800MT/s的数据传输速率,提供高带宽的数据吞吐能力,其400ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了快速的数据响应。
芯片采用1.8V核心与I/O电压,工作温度范围覆盖-40°C至105°C(结温),并集成片上终结(ODT)等信号完整性增强特性,使其能够适应严苛的工业与通信环境。其84-TFBGA封装形式适合空间受限的表面贴装应用,主要服务于需要可靠、高速存储解决方案的网络基础设施和嵌入式系统。
- 型号:MT47H32M16HR-25E AAT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- 想获取MT47H32M16HR-25E AAT:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料