MT47H32M16BN-5E:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM组件。其核心架构采用32M x 16位的组织方式，通过并联接口与主机通信，并支持高达200MHz的时钟频率，实现高效的数据吞吐。
该器件工作于1.7V至1.9V的低电压范围，有助于降低系统整体功耗。其关键性能指标包括600ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了快速的数据读写能力。产品采用84-TFBGA表面贴装封装，适用于0°C至85°C环境温度下的各类嵌入式与工业应用场景。
- 型号:MT47H32M16BN-5E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（10x12.5）
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