M29W800DB70ZE6F TR是美光科技推出的一款8Mb（1M x 8/512K x 16）并行接口NOR闪存芯片。该器件采用48-TFBGA封装，提供70ns的快速访问与写入时间，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
其核心优势在于通过成熟的NOR技术实现非易失性存储，具备灵活的字节/字宽模式选择，便于与各类微处理器或微控制器直接连接，适用于需要高速代码读取（XIP）或可靠数据存储的嵌入式应用。尽管产品状态为停产，但其经市场验证的可靠性和性能参数，使其在特定的传统或长生命周期产品设计中仍具参考价值。
- 型号:M29W800DB70ZE6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
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