M29W064FB6AZA6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。该器件提供8M x 8或4M x 16的灵活组织方式，支持快速的随机访问，其访问时间和写入周期时间均为60ns，能够满足嵌入式系统对代码执行和数据读取的实时性需求。
芯片工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠工作，确保了其在恶劣环境下的适用性。其异步并行接口设计简化了与主流微处理器的连接，主要面向需要可靠非易失性存储和直接代码执行的工业控制、通信及汽车电子等应用领域。
- 型号:M29W064FB6AZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:60 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
- 想获取M29W064FB6AZA6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
