MT47H256M8EB-25E:C TR 是美光科技推出的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片。该器件采用256M x 8的存储结构，通过并联接口实现高速数据交换，其核心时钟频率为400MHz，有效数据速率可达800MT/s，能够满足对带宽要求苛刻的应用需求。
该芯片在提供高性能的同时，也注重能效与可靠性。其工作电压范围为1.7V至1.9V，有助于降低系统整体功耗。关键时序参数表现优异，如15ns的写周期时间和400ps的访问时间，确保了快速的数据读写能力。器件采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业及工业级环境下的网络设备、服务器和嵌入式系统等场景。
- 型号:MT47H256M8EB-25E:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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