MT47H256M4HQ-5E:E TR是美光科技推出的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器，采用256M x 4的内部组织架构。该器件基于成熟的DDR2技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的数据传输速率，其并联接口和1.8V标准工作电压符合主流嵌入式系统对内存子系统的要求。
该芯片提供600ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，并采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C。其设计旨在为网络设备、工业控制系统及各类需要可靠数据缓冲的电子应用提供稳定的中等带宽内存解决方案。
- 型号:MT47H256M4HQ-5E:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:256M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
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