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MICRON
MT47H128M8CF-187E:H TR的图片

MT47H128M8CF-187E:H TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47H128M8CF-187E:H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M8CF-187E:H TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M8CF-187E:H TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器,采用128M x 8位的架构和并联接口。该器件以533MHz的时钟频率和350ps的访问时间为核心性能指标,提供了高速的数据处理能力。

其工作电压范围为1.7V至1.9V,采用60-TFBGA表面贴装封装,适用于0°C至85°C的商业温度环境。该芯片具备15ns的快速写周期时间,主要面向对内存带宽和响应速度有要求的嵌入式及工业应用场景。

  • 型号:MT47H128M8CF-187E:H TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:350 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • 想获取MT47H128M8CF-187E:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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