MT41K64M16TW-107:J是美光科技推出的一款1Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用64M x 16位组织架构。该器件核心优势在于其低电压（1.283V~1.45V）运行特性与高达933MHz时钟频率（等效1866MT/s数据率）的结合，在提供高带宽数据吞吐能力的同时，实现了优异的能效比。
芯片采用并行接口和96-TFBGA紧凑型封装，支持表面贴装，工作温度范围达0°C至95°C（TC），确保了在宽温环境下的可靠性。其20ns的访问时间和优化的内部架构，使其成为对性能、功耗和空间均有严格要求的嵌入式系统、网络设备及工业控制应用的理想内存解决方案。
- 型号:MT41K64M16TW-107:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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