MT47H128M4SH-25E:H是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用128M x 4位的组织架构，封装于60-TFBGA中。该芯片基于并联接口，支持400MHz时钟频率，实现800MT/s的数据传输速率，其访问时间仅为400ps，写周期时间为15ns，能够满足高速数据处理的时序要求。
器件工作电压为1.7V至1.9V，在0°C至85°C的温度范围内保持稳定运行，适用于表面贴装设计。其核心卖点在于高带宽、低功耗的DDR2技术，结合可配置的时序参数，为嵌入式系统与网络设备提供了可靠的内存扩展方案，尤其适合需要平衡性能与成本的应用场景。
- 型号:MT47H128M4SH-25E:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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