M58LT128KSB8ZA6E

M58LT128KSB8ZA6E是美光科技生产的一款128Mb并行NOR闪存芯片，采用8M x 16位的存储结构。该器件设计用于1.8V低电压系统，在52MHz时钟频率下可实现高速数据访问，其访问时间和写周期时间均为85ns，提供了出色的实时读取与写入性能。

芯片采用64-TBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围宽达-40°C至85°C，确保了在工业及扩展温度环境下的可靠性。它主要服务于需要快速启动、可靠代码存储及直接代码执行的嵌入式应用，是网络、汽车、工业控制等领域中关键的非易失性存储解决方案。

• 制造商产品型号：M58LT128KSB8ZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：128Mb（8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：52MHz
• 写周期时间-字，页：85ns
• 访问时间：85ns
• 电压-供电：1.7V ~ 2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-TBGA
• 想获取M58LT128KSB8ZA6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料