MT47H128M4B6-25:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 4的存储单元组织架构。该器件基于并联接口设计，时钟频率高达400MHz，能够提供高速的数据读写带宽，其访问时间仅为400ps，响应迅速。
芯片采用1.8V典型电压供电（范围1.7V~1.9V），具备较低的功耗表现。其物理封装为60-FBGA，支持表面贴装工艺，工作温度范围覆盖0°C至85°C，适用于广泛的商业级应用环境。该型号以卷带形式提供，便于自动化生产。
- 型号:MT47H128M4B6-25:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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