MT46V64M8CY-5B L:J是美光科技生产的一款512Mbit DDR SDRAM存储器，采用64M x 8的并行架构。该芯片基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下运行，实现了双倍数据速率传输，有效提升了内存子系统的数据吞吐带宽。
其核心参数包括2.5V至2.7V的工作电压、700ps的访问时间以及15ns的写周期时间，确保了快速且可靠的数据存取性能。器件采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式应用环境。
- 型号:MT46V64M8CY-5B L:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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