MT46V64M8BN-6:D TR是美光科技生产的一款512Mbit（64M x 8）DDR SDRAM芯片，采用60-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR技术，在167MHz的时钟频率下实现双倍数据速率传输，有效提升数据吞吐效率。
其核心特性包括2.3V至2.7V的工作电压范围，700ps的快速访问时间，以及0°C至70°C的商业级工作温度范围。这些参数使其能够为需要并行接口、中等带宽和可靠存储的嵌入式及消费类应用提供稳定的内存解决方案。
- 型号:MT46V64M8BN-6:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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