MT46V64M8BN-5B:D TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，工作时钟频率为200MHz，利用DDR技术实现高效数据传输，其字/页写周期时间为15ns，访问时间达700ps，提供了良好的读写响应性能。
芯片核心电压范围为2.5V至2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度适应商业级的0°C至70°C环境。这些参数共同定义了其作为一款适用于中等带宽需求的嵌入式存储解决方案的定位，能够为各类电子系统提供可靠的数据缓存和程序运行空间。
- 型号:MT46V64M8BN-5B:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
- 想获取MT46V64M8BN-5B:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
