MT46V32M16FN-6 IT:C是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片,采用32M字×16位的存储结构。该器件基于标准的2.5V DDR技术,最高支持167MHz时钟频率,可实现高达333MT/s的数据传输速率,其700ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了高速数据读写的响应性能。
该芯片采用60-TFBGA封装,工作温度范围覆盖-40°C至85°C,具备工业级可靠性。其特性包括可编程突发长度、自动预充电以及差分时钟输入,这些设计优化了系统内存控制器的效率与信号完整性。作为一款并联接口的易失性存储器,它主要面向需要稳定、中等带宽内存解决方案的嵌入式系统和工业控制应用。
- 型号:MT46V32M16FN-6 IT:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(10x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(10x12.5)
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