MT46V16M16CY-5B AIT:M是美光科技生产的一款256Mb容量DDR SDRAM芯片，采用16M x 16的组织结构。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的有效数据传输速率，为系统提供了较高的内存带宽，其并联接口和700ps的访问时间确保了快速的数据响应能力。
该芯片采用2.3V至2.7V供电，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，并通过60-TFBGA封装实现表面贴装，适用于对环境适应性和空间布局有要求的嵌入式设计。其核心卖点在于将DDR的高带宽特性与工业级的温度范围相结合，满足了网络通信、工业控制等应用领域对可靠、高速工作内存的需求。
- 型号:MT46V16M16CY-5B AIT:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT46V16M16CY-5B AIT:M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
