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MICRON
MT46V128M4FN-75Z:D的图片

MT46V128M4FN-75Z:D

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:产品封装:60-TFBGA
优势价格,MT46V128M4FN-75Z:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V128M4FN-75Z:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V128M4FN-75Z:D 是美光科技推出的一款 512Mb 容量 DDR SDRAM 存储器,采用 128M x 4 的并行架构。该器件基于 DDR 技术,核心时钟频率为 133MHz,通过双倍数据速率实现了高效的数据传输。其访问时间达到 750ps,写周期时间为 15ns,在 2.5V 典型电压下工作,平衡了性能与功耗。

该芯片采用 60-TFBGA 表面贴装封装,工作温度范围为 0°C 至 70°C,适用于商业级环境。其并联接口便于与各类控制器连接,主要面向需要中等带宽和可靠存储解决方案的嵌入式应用,如网络通信设备、工业控制系统及消费电子产品中的缓冲与缓存模块。

  • 制造商产品型号:MT46V128M4FN-75Z:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(128M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:750ps
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-TFBGA
  • 想获取MT46V128M4FN-75Z:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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