MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR是Micron Technology生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 8位的并行接口架构。该器件工作电压为2.7V至3.6V，提供非易失性数据存储解决方案。
其核心卖点在于工业级的宽温操作范围（-40°C至85°C）以及63-VFBGA的小型化表面贴装封装，适用于空间受限且环境要求较高的应用。作为一款已停产的器件，它代表了特定时期内高性价比的并行闪存选择，适用于存量系统维护或生命周期较长的嵌入式设计。
- 型号:MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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