MT46V128M4BN-75:D

MT46V128M4BN-75:D是美光科技推出的一款512Mbit容量DDR SDRAM存储器，采用128M x 4的组织结构。该芯片基于DDR技术，核心时钟频率为133MHz，实现高达266MT/s的数据传输速率，其快速的750ps访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据吞吐能力。

器件工作电压为2.5V（范围2.3V~2.7V），采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C。其并联接口和标准DDR控制信号使其易于集成，适用于对内存带宽和响应速度有要求的各类嵌入式及工业应用场景。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-75:D
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：133MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：750ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
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